双缺陷n型MgBiSbTe薄膜

中温区zT领跑

通过调控Mg空位并掺杂Te，该薄膜在同类Mg基薄膜中展现出最高的热电优值，为中温废热回收提供了新选择。

Yijun, Ran · Wenxue, Ma · Wenxia, Li · Shengqian, Li · Xiaoyang, Wang · Ting, Xiong · Zhou, Dayi · 孔祥山 · 高宁 · 余志 · 邰凯平

Acta Materialia 2026

具体参数

温差下输出电压

{'zh': '约79', 'en': '~79'} mV

温差下功率密度

{'zh': '约1185', 'en': '~1185'} μW cm⁻²

技术优势

在525 K时峰值zT为0.47