超低损耗高可调
在室温同时实现超低介电损耗和高可调性，适合直接用于可调微波器件和储能电容，无需改变现有工艺。
Li, Ruitao · Diming, Xu · Avdeev, M. · 张磊 · Xinfeng, Chen · 缑高阳 · 王栋 · 刘文凤 · 周迪
Advanced Functional Materials 2023
介电损耗≈10⁻³
品质因数≈240（常规可调介电材料<100）
损耗比BaTiO₃基可调材料低一个数量级以上