氧化铝磨料抛光液

粗糙度0.093nm

用于4H-SiC晶圆化学机械抛光，结合氧化铝磨料与高锰酸钾氧化剂，实现原子级光滑表面。

Juntao, Gong · Wang, Weilei · 刘卫丽 · 宋志棠

Materials 2024

参数信息

材料去除率

1.2 μm/h

表面粗糙度

0.093 nm

技术优势

表面粗糙度到原子级

优化的CMP工艺参数将Ra降低到0.093 nm，满足高功率器件对衬底表面的苛刻要求。

材料去除率高

在保证表面质量的同时，MRR达到1.2 μm/h，效率高，有利于缩短加工时间。

抛光机制明确

揭示了抛光过程中二氧化锰的生成及其在碳化硅表面的静电吸附，为工艺优化提供理论依据。

应用场景

• SiC晶圆抛光：用氧化铝基抛光液实现SiC晶圆低损伤抛光，获得原子级光滑表面。
• 功率半导体衬底：为功率器件提供超光滑、低缺陷的SiC衬底，降低器件漏电、提高可靠性。
• 超光滑表面加工：实现Ra 0.093 nm的超光滑表面，满足高精度表面加工需求。