自组装HTL量子点探测器

比探测率同类最高

引入自组装单分子层协同钝化界面缺陷并阻断电子传输，在多HTL结构中兼顾超高探测率与低暗电流，为PbS量子点探测器提供简便可工艺化的高性能方案。

76736620 · Haibo, Zhu · Shuo, Cheng · Tang, Haodong · Xiaojian, Zheng · Qian, Chen · Yihan, Song · 79593669 · 79593671 · Yihong, Tang · Fang, Fan · Hao, Junjie · 唐泽国 · Zheng, Keyu · 陈巍

Nano Research 2025

具体参数

外量子效率
{'zh': '53', 'en': '53'} %
暗电流密度
{'zh': '220', 'en': '220'} nA/cm²
比探测率
{'zh': '1.64 × 10¹²', 'en': '1.64 × 10¹²'} Jones

技术优势

电子漏电堵住了

SAM层的磷酸基在NiOₓ表面形成定向偶极，能带弯曲把LUMO抬到电子注入-3.3 eV的高势垒，电子过不去，暗电流从微安级直降到220 nA/cm²。

比探测率同类最高

MeO‑2PACz器件D*达到1.64×10¹² Jones，是在相同光谱区、同类测试条件下文献报道的最高值，直接确立了这一策略的竞争力。

工艺全低温，不挑基底

NiOₓ、PbS‑EDT、SAM全部用溶液法旋涂，最高温只是100°C，可以直接做在CMOS读出电路上，不破坏底层晶体管。

应用场景