Ga₂O₃/GaN蓝紫光LED

0.02 mA驱动

基于p-GaN/i-Ga₂O₃/n-Ga₂O₃:Si异质结的蓝紫光LED，驱动电流比常规LED低100~1000倍，室温下即可发射363 nm紫外和425 nm可见光。

Wenwen, Jin · Xian, Zhang · Xiang, Guojiao · Zhiang, Yue · Zhao, Enqin · Shuaikang, Wei · Jingwen, Shu · Hangyu, He · Meibo, Xin · Fujing, Dong · 赵洋 · 王辉

Optics and Laser Technology 2025

具体参数

驱动电流仅

0.02 mA

开启电压

约1.8 V

漏电流

4.30 × 10⁻⁸ mA

技术优势

色温1924 K