低结晶NiCoSₓ修饰Ni₃S₂纳米棒

高电流密度下超低全解水电压

低结晶壳层与晶态核构建界面内建电场,协同优化中间体吸脱附,实现高稳定大电流全解水。

Neng, Chen · 李宏强 · 贾德东 · Haoran, Qian · Pang Huan · 邱介山 · 李永峰 · 何孝军 · ORecord 科技单元

Nano-Micro Letters 2026

参数信息

HER过电位
346 mV
OER过电位
520 mV
全解水电压
2.10 V
耐久性
400 h

技术优势

大电流下电压低

在1000 mA cm⁻²下全解水电压仅2.10 V,得益于界面电荷转移加速和中间体吸脱附优化。

稳定运行400小时

低结晶壳层作为保护层,动态重构为NiCoOOH并抑制硫浸出,保障了长时间催化稳定性。

应用场景