TSV封装SP6T射频MEMS开关

300 μm超薄高度

通过在300 μm高度的超薄封装中引入异型微带线补偿阻抗，这款开关在保持低损耗的同时解决了集成高度瓶颈。

Liu, Huiliang · 吴倩楠 · 李孟委 · 刘泽文

Microsystems and Nanoengineering 2026

参数信息

插入损耗

2.0 dB

回波损耗

14 dB

隔离度

18 dB

总高度

300 μm

技术优势

高度锐减至300 μm

通过衬底减薄工艺实现了300 μm总高度，解决了紧凑集成的高度瓶颈。

宽频带内低插损

采用异型微带线补偿超薄衬底和空气腔引起的阻抗变化，在DC到18 GHz频段内保持低插入损耗。

高隔离与回损

实测隔离度超过18 dB、回波损耗优于14 dB，确保信号完整性和通道间隔离。

应用场景

• 5G/6G射频前端模块：超薄开关可直接集成到前端模块，节省堆叠空间并覆盖Ku波段。
• 无人机通信系统：300 μm高度满足无人机紧凑载荷限制，同时支持宽带天线切换。
• 物联网终端：薄型封装适配小型化IoT设备，低损耗延长电池寿命。
• 卫星通信终端：DC~18 GHz覆盖卫星通信常用频段，超薄外形利于相控阵集成。