电弧光束LIFT铜电路

大间隙稳定转移

通过将高斯光束调制为电弧光束，在高达120μm的接收间隙下稳定制备高结合强度、低电阻率的连续铜微电路。

Huang, Yajun · 谢小柱 · Cui, Jiaqi · 龙江游

Journal of Manufacturing Processes 2023

参数信息

飞行距离

120 μm

最小电阻率

7.46 μΩ∙cm

技术优势

接收间隙翻倍

在相同能量密度和扫描速度下，电弧光束的飞行距离约为高斯光束的两倍。

电阻率低

优化参数下最小电阻率为7.46 μΩ·cm，仅为块体铜的约4倍。

电路高度可调

微电路的高度可以通过沉积次数来精确控制。

应用场景

• 微电路缺陷修复：可用于修复微电路缺陷，减少基板损伤。
• 微电子互连：大间隙下直接打印铜互连，避免传统光刻工艺。
• 增材制造：作为增材制造手段，逐层沉积构建三维铜结构。