CF₃功能化WSe₂场效应管

空穴迁移率约147

通过三氟甲基硫杂蒽鎓盐处理与TiS₂接触协同优化，实现WSe₂晶体管P型接触的高迁移率与高温稳定性。

张恒 · Jialei, Miao · 张成 · Zhang, Tianjiao · 陈婷婷 · 高凯歌 · 许威 · 张晓伟 · Zhao, Yuda

Nano Letters 2025

参数信息

空穴迁移率

~147 cm²/V·s

技术优势

迁移率大幅提升

CF₃处理钝化了缺陷并增加了空穴密度，同时TiS₂接触避免了金属沉积损伤，导致空穴迁移率达到约147 cm²/V·s。

高温下依然稳定

该器件在200 °C下表现出优异的稳定性，显示出在高温环境中的应用潜力。

应用场景

• 二维材料场效应管：提供高性能二维材料场效应管，用于验证接触优化方案。
• p型晶体管：作为p型晶体管，用于实现互补逻辑电路。
• CMOS逻辑电路：可集成到CMOS逻辑电路中，提升电路性能。