4H-SiC单晶晶面

C面磨削更平整

C面虽更硬更脆,但高密度位错释放应力,纳米磨削后粗糙度更低,为功率和射频器件衬底提供优选晶面。

康仁科

Applied Surface Science 2024

技术优势

C面弹性模量和硬度更高,但断裂韧性更低

C面更易形成高密度位错

磨削后C面表面粗糙度更低