涡旋型TMR传感器

磁滞消除 线性提升

一种基于涡旋态自由层的隧道磁阻传感器，通过参考层局部生长修饰，在±10 mT内实现低于0.15%的理论线性度，同时保持无磁滞特性。

Jiaming, Liu · Qihang, Xu · 关蒙萌 · Liwen, Liang · Jieqiang, Gao · Su, Wei · 胡忠强 · 刘明

Advanced Functional Materials 2026

参数信息

理论线性度

<0.15 %

技术优势

线性度显著提升

通过参考层局部生长修饰，在±10 mT范围内理论线性度低于0.15%，从源头抑制非线性误差。

磁化-磁阻定量关联

建立的离散化并行磁隧道结模型能够确定性预测磁化与磁阻关系，与实验数据良好吻合，为器件设计提供可靠工具。

无磁滞设计优化

模型深化了对无磁滞传感器工作机制的理解，可精准指导参考层修饰策略，避免试错。

应用场景

• 磁传感器：提供无磁滞且线性度高的磁场传感核心，替代传统霍尔或AMR方案。
• 自旋电子器件：为自旋电子传感器设计提供磁化-磁阻定量模型，加速新型器件开发。
• 精密磁场测量：在±10 mT内实现低于0.15%的线性度，适合精密磁场测量应用。