极性斯格明子

写入擦除可控

在铁电-金属异质结构中创建的多种极性斯格明子织构，具有独立可控性和超过两周的拓扑增强稳定性，为高密度信息存储提供了新实体。

Sun, Fei · 任建华 · Li, Hongfang · Zhang, Yuan · Liang, Jianwei · 杨慧 · Liu, Jianyi · Liu, Linjie · Wu, Mengjun · 张潇悦 · Zhu, Wenpeng · 陈伟津 · 张艺 · 郑跃

Advanced Materials 2025

参数信息

存储密度

300 Gbit/inch²

拓扑增强斯格明子寿命

2 weeks

技术优势

密度超过硬盘

弱相互作用斯格明子阵列的存储密度超过 300 Gbit/inch²，达到高密度存储所需量级。

寿命延长两周以上

多重 π 扭转靶斯格明子和斯格明子袋通过拓扑保护增强稳定性，寿命超过两周。

单个斯格明子可控

扫描探针可对单个斯格明子织构进行独立的写入、擦除和读出操作。

应用场景

• 自旋电子学存储：实现非易失、高密度、低功耗的自旋存储单元。
• 高密度存储：提供超过 300 Gbit/inch² 的可寻址拓扑存储介质。
• 拓扑存储器件：利用拓扑保护延长存储寿命并抵抗外界扰动。
• 铁电器件：在铁电薄膜中集成极性斯格明子作为功能单元。