铌酸锂-砷化镓异质光子芯片

片上七倍寿命调制

通过手性奇异点动态调控单量子发射体的自发辐射,实现寿命大幅调制与可控手性。

Chen, Yan · Li, Jin · Su, Rongbin · Kaili, Xiong · 喻颖 · Zhang, Tao · Kexun, Wu · 李小 · Wang, Zhanling · 景辉 · Jiawei, Wang · 张加祥 · 刘进 · 江天

Nature Nanotechnology 2026

参数信息

寿命调制范围
120–850 ps
寿命调制比
7

技术优势

寿命调制范围达七倍

通过动态调节顺时针-逆时针模式耦合使系统进入奇异点,单量子发射体自发辐射寿命在120-850 ps范围内可逆调制,远超传统腔QED的调控能力。

片上电光可调

芯片集成了电光调制器和压电致动器,无需改变光路或温度即可动态控制模式耦合,实现快速可编程的量子光源操作。

发射谱形可定制

通过奇异点调控局域态密度,可产生平方洛伦兹、Fano非对称和EP诱导透明发射,为按需设计单光子谱提供新手段。

应用场景