单层MoS₂集成电路

低功耗柔性

这种基于高质量晶圆级单层MoS₂的薄膜晶体管在刚性和柔性基底上实现了低于1V的集成运算，深亚阈值操作下具有极低漏电，满足可穿戴和植入式电子对低功耗与柔性的双重需求。

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Nature Communications 2023

参数信息

工作电压（柔性集成电路）

1 V

技术优势

工作电压低于1V

超薄高κ介质/金属栅极结构有效控制沟道，使柔性集成电路在低于1V电压下可靠工作，大幅降低功耗。

漏电流极低

高κ介质有效抑制栅极漏电，器件呈现超低泄漏电流，适合对功耗敏感的便携和植入式应用。

迟滞可忽略

高质量介电界面减少了电荷陷阱，使得器件迟滞极小，有利于精确的模拟和数字电路操作。

应用场景

• 柔性电子器件：在柔性基底上实现低电压集成电路，可用于可弯曲显示屏、电子皮肤等。
• 可穿戴医疗设备：低功耗和柔性特性使其适合贴合人体的健康监测和植入式医疗设备。
• 低功耗便携设备：低于1V的工作电压显著降低能耗，延长便携设备的电池寿命。
• 物联网传感器：超低漏电流和低电压操作适合长期部署的物联网传感器节点。