导电抛光垫

0.33 nm 超光滑

这种导电抛光垫能在电火花辅助抛光中实现SiC晶圆的超光滑表面，同时保持较高材料去除率。

Luo, Qiufa · Xinkai, Lv · Weitao, Wang · 陆静 · Wang, Ningchang · 柯聪明 · 姜峰 · 黄辉

Wear 2026

参数信息

表面粗糙度

0.33 nm

材料去除率

0.93 μm/h

电阻率

10⁻³ Ω m

硬度

12.3 HV

抗压强度

8.35 MPa

技术优势

表面极致光滑

通过调节放电电流，表面粗糙度低至0.33 nm，满足超精密加工要求。

加工效率高

材料去除率达0.93 μm/h，同时保持超光滑表面，兼顾效率与质量。

工艺窗口宽

通过调节放电电流即可控制加工效果，工艺参数灵活易调。

避免表面损伤

采用阴极配置时仅引起轻度氧化，避免阳极配置下的严重表面损伤。

应用场景

• SiC晶圆加工：直接用本工艺获得超光滑SiC晶圆表面，替代粗抛+精抛多步流程。
• 半导体衬底抛光：在电火花辅助下实现半导体衬底高效抛光，减少传统机械抛光损伤。
• 超精密抛光：0.33 nm粗糙度满足超精密表面要求，无亚表面损伤。
• 陶瓷表面处理：适用于SiC等硬脆陶瓷材料的表面光整，避免脆性断裂损伤。