PSPI电热微镜

抗200g冲击

用光敏聚酰亚胺替代脆性二氧化硅做电热隔离,让微镜能承受跌落和强振动,不再一碰就碎。

Yang, Hengzhang · Ren, Anrun · Ding Y. · Xiao, Lei · Pan, Teng · 谢会开

Microsystems and Nanoengineering 2023

参数信息

光学扫描角
19.6 °
垂直位移
370 μm
冲击加速度耐受
200 g
跌落高度
21 cm
垂直振动加速度耐受
21 g
横向振动加速度耐受
29 g

技术优势

抗冲击提升4倍

在所有冲击、跌落和振动测试中,PSPI微镜表现出的鲁棒性至少是同一批次SiO2微镜的4倍,因为聚酰亚胺比二氧化硅更具柔韧性。

低电压驱动

仅需4 Vdc即可实现±19.6°光学扫描角和370 μm垂直位移,可直接用标准电源驱动,无需高压放大器。

跌落不坏

在跌落测试中,PSPI微镜从高达21 cm的高度跌落到硬地面后仍能存活,适合便携式设备中的意外坠落场景。

超高冲击耐受

在冲击实验中,PSPI微镜能够承受来自垂直或横向超过200 g的加速度,远超常规MEMS器件的抗冲击能力。

应用场景