Mg掺杂GaNbO₄晶体

高温电阻降一个量级

Mg2+掺杂使GaNbO4晶体在500-800°C高温下电阻率下降约一个数量级，同时紫外吸收边蓝移、带隙拓宽至3.463 eV，蓝光发射增强，为高温电子与光电器件提供一种可调谐的宽禁带氧化物晶体。

Junqi, Zhang · Ximeng, Gu · Hong, Chen · Yuzhen, Li · 王一鸣 · Shouhao, Lv · Yueyue, Guo · 郭世义

Materials Research Bulletin 2024

具体参数

带隙

{'zh': '3.463', 'en': '3.463'} eV

b方向热膨胀系数

{'zh': '-0.977 × 10⁻⁶', 'en': '-0.977 × 10⁻⁶'} K⁻¹

高温电阻率

{'zh': '3.0 × 10⁶', 'en': '3.0 × 10⁶'} Ω·cm

应用场景

• 高温电子器件：500–800°C下电阻率低至10⁶ Ω·cm，适合高温导电或电极材料
• 紫外光电探测：带隙3.463 eV，紫外吸收边蓝移，可用于深紫外探测
• 蓝光发射材料：光致发光显示蓝光发射增强，可用作蓝光荧光粉或发光层
• 高温传感器：电阻率随温度变化明显，可用于高温区温度传感