Cr掺杂InS单层

高温铁磁掺杂

通过掺杂3d过渡金属，将非磁性InS单层转变为铁磁半导体，居里温度可达590 K，远高于室温。

Ruifang, Xue · Han, Rong · Lin, Xiang · 吴平

Applied Surface Science 2023

具体参数

掺杂

8 %

InS

6 %

技术优势

Cr掺杂体系的居里温度达590.21 K