空气环境9nm刻蚀
通过微球调制的飞秒激光在空气中实现硅表面远场亚10纳米特征加工，无需液体浸没，拓展了激光直写在半导体制造中的适用性。
罗豪 · 王晓朵 · 文扬东 · Qiu, Ye · 刘连庆 · 于海波
APL Photonics 2024
通过微球调制紧聚焦光场，将聚焦光斑的半高全宽急剧缩小，从而在硅表面诱导去湿，达到远场最小9 nm特征尺寸。
加工在环境空气中完成，无需水或油浸没，避免了液态介质对半导体工艺的污染和限制，可直接集成到现有产线。
所用激光能量低于硅的烧蚀阈值，去湿过程避免了对基底的直接烧蚀，有望保持材料完整性和器件性能。
该方法不仅能加工单一纳米结构，还展示了在硅上制备任意二维图案的能力，为纳米光刻提供了灵活的工具。