范德华负电容晶体管

应变调谐，亚阈值摆幅 15 mV/dec

通过应变调谐负电容效应，在室温下实现远超传统 MOSFET 的亚阈值摆幅，显著降低开关能耗。

Chi, Mengshuang · Ailin, Li · Zhang, Xiang · Li, Zekun · Jia, Mengmeng · 王捷 · 王中林 · Junyi, Zhai

Nano Energy 2024

具体参数

增加到

-0.005 %

技术优势

理论模拟表明压缩应变增强 CuInP2S6 中瞬态负电容的振幅和持续时间