W掺杂CuMoO4陶瓷

近零温度系数

通过W6+ B位取代优化谐振频率温度系数，兼顾低介电常数与高Q×f值。

Ruihang, Li · Ren, Luchao · Xin, Le · Pengchao, Shao · Jia, Wang · 高增丽 · Panpan, Lyu · Li, Cuncheng · 彭辉 · 张名位

Journal of the European Ceramic Society 2025

具体参数

介电常数

{'zh': '5.13', 'en': '5.13'}

品质因数

{'zh': '65506', 'en': '65506'} GHz

谐振频率温度系数

{'zh': '-8.82', 'en': '-8.82'} ppm/°C

烧结温度

{'zh': '625', 'en': '625'} °C

技术优势

温度稳定性近零

W6+取代使晶格畸变和键价改变，将τf从−36 ppm/°C调至−8.82 ppm/°C，接近零漂移，保证器件在宽温范围内频率稳定。

介电常数低

εr=5.13，低介电常数有利于减小信号传输延迟，适用于高频基板。

品质因数高

Q×f = 65,506 GHz，高Q值意味着低介电损耗，有利于提高器件效率和选择性。

低温烧结

625°C即可致密化，远低于传统微波陶瓷的烧结温度，有利于节能和与低成本电极共烧。

应用场景

• 微波介质器件：用作谐振器、滤波器等核心介质，温度稳定性好，信号频率不漂移。
• 5G通信基板：低介电常数和高Q值减小高频信号延迟和损耗，适合5G毫米波基板。
• LTCC集成：625°C低温烧结，可与银、铝等低熔点电极共烧，实现多层集成。
• 高频电容器：低损耗特性使电容器在高频下能量耗散小，Q值高。