TeSe压电薄膜

低功耗神经形态

硒引入增强极化和畴响应，同时保持结晶质量，薄膜在室温下表现出稳定的压电响应。

Chia-Yi, Chung · Chaudhary, Mayur · Lai, Po Lin · Lee, You Lin · Cyu, Ruei Hong · Peng-Ren, Lai · Quynh, Le Thi · Yew, Jen Yu · Lin, Yen Wen · Lee, Hung Yi · Chu, Yu Ying · Chang, Shen · Lien, Der Hsien · Chueh, Yu Lun

Advanced Science 2026

参数信息

压电系数

33 pm/V

保持时间

2000 s

可开关循环次数

1000

高低阻态比

10^2

图像识别准确率

92 %

技术优势

室温响应稳定

10 nm Te0.9Se0.1薄膜在环境条件下表现出稳定的压电响应，无需特殊气氛或温度控制。

存储窗口大

在±20 V编程/擦除脉冲、1 V漏极电压读取下，HRS/LRS比值超过10^2，能够清晰分辨高低阻态。

识别精度高

突触行为演示中图像识别准确率达到92%，且能耗低，适合低功耗神经形态计算。

应用场景

• 低功耗存储：利用其大开关比和长保持时间，替代传统闪存，降低静态功耗。
• 神经形态计算：突触可塑性演示识别精度高，适合构建低功耗神经网络硬件。
• 柔性压电器件：薄膜可低温制备，与柔性衬底兼容，用于柔性压力或振动传感。
• 电子皮肤触觉传感：压电响应可感知动态触觉信号，用于电子皮肤中的触觉反馈。
• 压电生物传感：压电系数高，可放大质量变化信号，用于无标记生物检测。