三栅极AlN/GaN HEMT

常关高功率密度

三栅极结构实现常关操作，同时保持出色的射频功率和效率。

Guo, Jingshu · 祝杰杰 · Liu, Siyu · Cheng, Kai · 朱青 · Wang, Pengfei · Liu, Kai · 赵子越 · Lingjie, Qin · Yuxi, Zhou · 宓珉瀚 · 郝跃 · 马晓华

IEEE Electron Device Letters 2023

参数信息

阈值电压

0.2 V

输出电流

1.61 A/mm

击穿电压

159 V

线性增益

20 dB

技术优势

常关工作

三栅极结构使2DEG在三侧被栅极包围，完全耗尽沟道，实现阈值电压0.2 V的常关特性，无需负电压即可关断，提高系统安全性和驱动便利性。

击穿电压高

在栅压-4 V时击穿电压达159 V，使器件可工作在28 V漏压下，输出功率密度达5.96 W/mm，适用于高压大功率场景。

应用场景

• 射频功率放大器：常关特性实现单电源供电，低电压高效率，适合移动终端射频前端。
• GaN功率器件：159 V击穿电压和高输出功率密度，适合高压高频功率开关。
• 5G毫米波前端：3.6 GHz下67.5% PAE，可在毫米波频段高效放大。
• 高频开关：常关、低阈值电压，适合高频高速开关应用。