近红外响应 2670 mA/W
通过调控硒前驱体膜厚度，实现峰值掺杂浓度和耗尽层宽度的独立控制，从而在近红外波段获得极高的光电响应。
杜玲艳 · Shiping, Liu · Fusong, Chen · 任先培 · Li, Qiang
Infrared Physics and Technology 2025
通过改变Se前驱体膜厚度，可无级调控峰值掺杂浓度，实现0.50%到0.81%的连续变化。
250 nm Se前驱体制备的二极管在-8 V偏压、1064 nm下响应度高达2670 mA/W，超过典型硅探测器。
350 nm Se前驱体制备的二极管具有最佳的整流和光学开关特性，有利于高速调制应用。