深沟槽SOI霍尔器件

高灵敏低失调

采用深沟槽指状物抑制短路效应，实现高电流灵敏度与低失调电压，且可在宽温度范围内稳定工作。

Guiqiang, Zheng · Ma, Jie · Yichen, Li · Nannan, Cheng · Qingyin, Zhong · Lanlan, Yang · He, Nailong · Dejin, Wang · Zhang, Sen · Li, Yongjia · Zhang, Long · Liu, Siyang · Sun, Weifeng

IEEE Electron Device Letters 2024

参数信息

电流相关灵敏度

>1000 V/AT

输入电阻

40.5 kΩ

失调电压

<2.5 mV

残余失调电压

17 μV

线性输出磁场范围

10-300 mT

工作温度范围

25-225 °C

技术优势

灵敏度破千

深沟槽指状物抑制短路效应，使电流相关灵敏度超过1000 V/AT，比常规结构显著提高。

失调极低

器件本征失调低于2.5 mV，经四相旋转电流法后残余失调仅17 μV，接近零失调。

宽温稳定

器件在25°C至225°C范围内保持高稳定性，适合高温环境下的磁传感应用。

应用场景

• 精密电流传感：将电流产生的磁场线性转换为高灵敏电压输出，用于精密电流监测。
• 磁场检测：在10–300 mT范围内提供高线性输出，适合宽动态范围的磁场测量。
• 位置与角度传感：高灵敏度与低失调使其能准确感知磁场变化，用于位置与角度检测。