溶液法制备的p型Te纳米线膜

空穴迁移率近百，工作电压1 V

基于Te纳米线间的范德瓦尔斯接触，实现了性能无损的大面积薄膜，突破了溶液法p型晶体管的性能瓶颈。

Guo, Tianchao · Xu, Xiangming · Maolin, Chen · Wang, Yizhou · Thomas, Simil · Luo, Linqu · Lei, Yongjiu · Liu, Hang · Tian, Zhengnan · Bakr, Osman M. · Mohammed, Omar F. · Zhang, Xixiang · Anthopoulos Thomas D · Alshareef, Husam N.

Advanced Materials 2025

具体参数

单根纳米线空穴迁移率

{'zh': '370', 'en': '370'} cm² V⁻¹ s⁻¹

亚阈值摆幅

{'zh': '248.6', 'en': '248.6'} mV dec⁻¹

工作电压

{'zh': '1', 'en': '1'} V

技术优势

迁移率不衰减

Te-Te纳米线结的迁移率与单根纳米线相当，范德瓦尔斯接触几乎无载流子传输损失。

1 V就能工作

大面积薄膜晶体管在低至1 V的电压下仍保持优异的开关特性，适合低功耗应用。

溶液法可制备

大面积1D Te纳米线薄膜通过溶液法自组装，具备大面积、低成本的制造优势。

应用场景

• 柔性p型晶体管：利用溶液法薄膜的高迁移率和1 V工作电压，在柔性衬底上构建低功耗p型晶体管。
• 低功耗逻辑电路：1 V工作电压和接近100的空穴迁移率使之非常适合低功耗CMOS逻辑门。
• 大面积电子：溶液法自组装成膜工艺天然支持大面积制备，性能均匀性良好。
• 可穿戴传感器：低工作电压和高迁移率使传感器在低功耗下仍保持高灵敏度，适合穿戴设备。