IZTO-6纳米线突触晶体管

长记忆保持 自供电

多阳离子金属氧化物半导体突触，模拟生物突触功能，无需偏压即可工作，面向低功耗存内计算。

Lingyan, Zheng · Zhou, Ruifu · Shuwen, Xin · Cong, Haofei · Qin, Yuanbin · 徐沛龙 · 刘旭海 · 王凤云

Journal of Materials Chemistry C 2023

参数信息

记忆保持时间
3 h
3小时后EPSC保持率
50 %

技术优势

记忆保持3小时

通过调整铟离子比例至6:1:2，突触后电流衰减极慢，3小时后仍保持峰值约50%。

无需偏压也能工作

利用非对称金属接触和大的功函数差，器件在无VDS偏压时即可模拟突触行为。

低成本制备

采用静电纺丝技术制备纳米线，工艺简单、成本低。

应用场景