DRIE刻蚀硅片

5μm沟槽深112μm

通过优化C4F8钝化与刻蚀时间比，实现5μm宽沟槽112.2μm深度，且孔径差仅0.279μm，为高深宽比硅结构制备提供精确工艺控制。

Wang, Dandan · 雷程 · Pengfei, Ji · 李志强 · Yu, Jiangang · 梁庭 · Yao, Zong

Micromachines 2025

具体参数

宽沟槽刻蚀深度

{'zh': '112.2', 'en': ''} μm

整体孔径尺寸差

{'zh': '0.279', 'en': ''} μm

技术优势

刻蚀深度增长存在瓶颈，需递增底部RF功率克服