VS2/MXene复合负极

全天候长循环

将VS2限域在导电Ti3C2Tx基体中,实现快速的嵌入赝电容储钠机制,显著提升比容量、倍率和循环稳定性。

Zhao, Zhenyun · Wu, Yang · Hu, Rui · Lu, Jianguo · Chen, Dongliang · Li, Tongtong · Guo, Yunna · Zhang L. · Chen, Hongwen · Ye Z. · Zhang, Chuangfang

Advanced Functional Materials 2023

具体参数

比容量
{'zh': '522', 'en': '522'} mAh g−1
比容量
{'zh': '342', 'en': '342'} mAh g−1
容量保持率
{'zh': '116', 'en': '116'} %
工作温度
{'zh': '70', 'en': '70'} °C
工作温度
{'zh': '-40', 'en': '-40'} °C

技术优势

堆叠少了

VS2被限域在Ti3C2Tx基体中并与基体形成化学连接,避免了自身堆叠,从而暴露更多储钠位点。

储钠更快

原位TEM证实其储钠过程为快速的嵌入/脱出反应,并以嵌入赝电容为主导,因而在10 A g−1下仍能保持342 mAh g−1。

循环不衰减

基体缓解了VS2的体积膨胀并增强电荷转移,3000次循环后容量保持率达到116%。

高低温都行

该复合负极在70°C和−40°C下均表现出高比容量和长循环稳定性。

应用场景