全天候长循环
将VS2限域在导电Ti3C2Tx基体中,实现快速的嵌入赝电容储钠机制,显著提升比容量、倍率和循环稳定性。
Zhao, Zhenyun · Wu, Yang · Hu, Rui · Lu, Jianguo · Chen, Dongliang · Li, Tongtong · Guo, Yunna · Zhang L. · Chen, Hongwen · Ye Z. · Zhang, Chuangfang
Advanced Functional Materials 2023
VS2被限域在Ti3C2Tx基体中并与基体形成化学连接,避免了自身堆叠,从而暴露更多储钠位点。
原位TEM证实其储钠过程为快速的嵌入/脱出反应,并以嵌入赝电容为主导,因而在10 A g−1下仍能保持342 mAh g−1。
基体缓解了VS2的体积膨胀并增强电荷转移,3000次循环后容量保持率达到116%。
该复合负极在70°C和−40°C下均表现出高比容量和长循环稳定性。