低翘曲P-eSiFO封装

优化参数使翘曲降低60%

一种经过参数优化后，高温工艺下仍能保持近乎零翘曲的封装结构，为高密度芯片集成提供可靠的力学保障。

Du, Jianyu · Chen, Lang · Xu, Han · 张锦文 · Yu, Huaiqiang · Zhang, Chi · 王威

IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology 2025

参数信息

翘曲高度差

1 μm

翘曲降低率

60 %

技术优势

翘曲减六成

通过参数优化，芯片翘曲可降低超过60%，显著提升封装面型精度。

高度差仅1微米

优化参数后，高温工艺下嵌入芯片与硅中介层的高度差可降至1 μm，满足高密度集成对表面平坦度的要求。

应用场景

• 先进封装：为先进封装提供低翘曲方案，保障高密度集成可靠性。
• 微电子封装：在微电子封装中通过参数优化降低翘曲，提高封装良率。
• 热机械仿真：建立热机械模型指导参数选择，缩短封装设计周期。
• 芯片集成：降低芯片与中介层高度差，为高密度芯片集成提供平坦表面。