金刚石-SiC复合衬底

芯片温度直降52.5℃

直接在SiC上生长金刚石，减薄至最佳厚度，兼容标准GaN工艺，大幅降低器件热阻

Hu, Xiufei · Ge, Lei · Zonghao, Liu · Li, Ming · Yingnan, Wang · Saibin, Han · Peng, Yan · 徐明升 · Xiaobo, Hu · Tang, Gongbin · 王守志 · 王希维 · 徐现刚

Carbon 2024

具体参数

表面温度降低
{'zh': '52.5', 'en': '52.5'} °C
热阻降低
{'zh': 'about 41', 'en': 'about 41'} %

技术优势

芯片温度直降52.5°C

在基板温度25°C、功耗7.2 W/mm下，GaN器件表面温度比GaN-on-SiC低52.5°C，大幅缓解自热效应。

热阻砍掉四成

复合衬底使器件热阻降低约41%，显著提升热管理效率。

无缝兼容GaN产线

在SiC上直接生长金刚石再减薄，无需键合或界面层，完全兼容现有GaN-on-SiC外延和器件工艺。

应用场景