磁场调控波长，发光增强3.63倍
通过巨磁致伸缩应力器，对Ge0.92Sn0.08 LED施加可调单轴拉伸应变，实现连续可调带隙和发光峰波长，发射速率较无应变器件提高3.63倍。
张庆芳 · Qianyu, Chen · 张吉涛 · Wenxiang, Lu · Pei, Zhang · 秦自瑞 · 曹玲芝 · 韩根全
IEEE Photonics Journal 2023
在 0～240 kA/m 磁场范围内，带隙从 0.543 eV 连续调至 0.475 eV，发光峰从 2.18 μm 移到 2.46 μm。
通过施加应变，LED 的自发辐射速率较无应变器件提高约 3.63 倍，有利于提高发光强度。
利用巨磁致伸缩应力器，通过调节外部磁场就能改变应变，无需机械接触或改变器件结构。