等离子预处理SiO₂

异质结响应度提升

对硅衬底上SiO₂介电层进行软等离子体预处理，改变其厚度与表面态，所构建的MoS₂/Si异质结光电探测器实现高响应度、宽光谱与快响应兼顾。

Chenglin, Wang · Qianqian, Wu · Ding, Yang · 张秀梅 · Guo, Xitao · 林良良 · Cai, Zhengyang · 顾晓峰 · 肖少庆 · 南海燕

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

参数信息

最低可探测波长

447 nm

最高可探测波长

1600 nm

技术优势

响应度够高

软等离子体改变SiO₂厚度与表面态，提高载流子浓度，微弱光也能产生大电流。

探测范围够宽

从可见光447 nm到近红外1600 nm都有响应，一台器件覆盖多个波段。

工艺可迁移

同一预处理衬底对MoTe₂、ReS₂等其他n型TMDCs同样有效，可推广到不同材料体系。

应用场景

• 近红外探测：把探测波段延伸到1600 nm，覆盖近红外弱光应用。
• 光通信接收：在通信波段保持高响应度，接收端无需前置放大。
• 高灵敏光传感器：微弱光也能产生大电流，灵敏度足够做精密探测。
• 宽带光电探测：一台器件覆盖447–1600 nm，省去多波段拼接。