硫空位Mo₂C/MCS异质结

产氢速率提升2.55倍

通过硫空位调控肖特基势垒，同时增加活性位点并改善电荷传输，实现高效稳定的光催化产氢。

吕华 · Yu, Zhao · Baoliang, Wan · Qinhui, Shen · Wenhui, Xi · Wenhao, Ji · 王广涛 · 王公轲 · 刘玉民

Chemical Engineering Journal 2025

参数信息

光催化产氢速率

36.02 mmol g⁻¹ h⁻¹

提升倍数（相对MCS-p）

3.63

技术优势

产氢速率提高3.63倍

相对于贫硫空位的对照样品，产氢速率从约10 mmol g⁻¹ h⁻¹提升到36.02 mmol g⁻¹ h⁻¹，性能提升显著。

肖特基势垒降低

硫空位与Mo₂C助催化剂协同降低了肖特基势垒高度，改善了界面电荷分离，促进电子向Mo₂C转移。

活性位点增多

硫空位增加了表面活性位点密度，为产氢反应提供更多反应位置。

应用场景

• 光催化产氢：直接用于光催化水分解产氢，无需贵金属助催化剂。
• 太阳能制氢：利用太阳能驱动产氢，提高太阳能到氢能的转换效率。