高LET重离子耐受性强
该研究揭示了p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT在重离子辐照下的烧毁机制，通过局部高电场峰解释了永久损伤的物理根源，为宇航级GaN功率器件的抗辐照可靠性提供了关键依据。
Wang, Xiaohu · 郑雪峰 · Danmei, Lin · Hao, Zhang · 曹艳荣 · 吕玲 · Wang, Yingzhe · Hu, Peipei · 刘杰 · 马晓华 · 郝跃
Applied Physics Letters 2024
Ta离子辐照实验中，器件的漏电流和栅电流随辐照增加，漏偏压升高最终导致烧毁
辐照诱导的局域高电场峰高于GaN和AlGaN的本征击穿电场