单层MoS₂晶体管

钒德华接触解锁缩放优势

钒德华金属层压可缓解接触钉扎效应，恢复单层二硫化钼晶体管抑制短沟道效应的能力，为二维晶体管在实际集成电路中的缩放提供关键工艺。

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Applied Physics Reviews 2026

技术优势

恢复短沟道效应抑制

钒德华金属层压缓解接触钉扎后，单层MoS₂晶体管不再表现出异常的短沟道效应，关态电流降低，器件可以按预期缩放。

关态电流更低

采用钒德华接触后，单层晶体管的泄漏路径被遏制，关态电流恢复到低于厚层器件的水平，这对低功耗芯片至关重要。

应用场景