功率回路杂散电感低至 1.94 nH
该模块通过驱动策略抑制了键合线互连带来的串扰与栅极振荡，使 GaN HEMT 半桥在封装中仍能保持极低功率回路杂散电感。
Yilong, Yao · Hong, Zhang · Yang, Fengtao · 空航 · Wang, Yan · Dong, Xiaobo · Wang, Laili · 王康平
2023
实测功率回路杂散电感仅 1.94 nH，有助于发挥 GaN 器件的高速开关能力。
采用专门的驱动策略，抵消键合线互连带来的寄生电感效应，避免栅极误动作。
基于该模块的 2.14 kW 升压变换器峰值效率达 98.28%，验证了模块在实际电路中的性能。