a-SiGe薄膜负极

高容量与高倍率兼得

通过调控Si/Ge比例，将Si的高容量与Ge的优异倍率性能整合于单一非晶薄膜中，克服了单组分材料的本征缺陷。

张乾坤 · Ma, Zhewen · 张海民 · Xuan, Lan · 罗永春

Journal of Power Sources 2025

具体参数

最大放电容量
{'zh': '1685.7', 'en': '1685.7'} mAh g⁻¹
100次循环后容量保持率
{'zh': '90.2', 'en': '90.2'} %
高倍率放电容量
{'zh': '1033', 'en': '1033'} mAh g⁻¹

技术优势

容量大幅跃升

Si的高理论容量贡献了高放电容量，a-Si0.8Ge0.2薄膜达到1685.7 mAh g⁻¹，远超储氢合金。

高倍率下容量坚挺

Ge的加入改善了倍率性能，在20 A g⁻¹下放电容量仍可达1033 mAh g⁻¹。

循环寿命破百

通过调控Si/Ge比缓解了体积膨胀，100次循环后容量保持率高达90.2%。

应用场景