高低压通用
该欠压闭锁电路采用检测电流与基准电流比较的机制，既能用于BCD、SOI BCD等特殊工艺，也能用于标准CMOS工艺，打破了传统结构对工艺技术的依赖。
Ding, Liqiang · 蔡小五 · Mali, Gao · Xia, Ruirui · Gao, Yuexin
Integration, the VLSI Journal 2023
采用检测电流与基准电流比较的机制，在标准CMOS工艺下同样能实现UVLO功能，不必局限在BCD或SOI BCD等特殊工艺。
3.3 V供电时静态电流约5 μA，适合电池供电或常待机的电源管理场景。
440 mV迟滞范围可有效抑制电源噪声引起的误触发，提升系统可靠性。
在0.25 μm BCD工艺下版图面积仅0.168 mm²，便于集成到面积受限的功率驱动芯片中。