InSe/MoSe₂范德华异质结构

应变下迁移率3.9×10⁵

一种Ⅱ型能带排列的二维异质结构，带隙可通过应变在较大范围内调控，且光吸收和载流子迁移率显著优于单层材料。

Xiao, He · 陈劼实 · Shuai, Li · Meng, Lin · Yajie, Wang · Zheng, Yi · Lu, Hao

Surfaces and Interfaces 2023

参数信息

带隙

0.464 eV

带隙（最小）

0.001 eV

电子迁移率

3881.93 cm²V⁻¹s⁻¹

空穴迁移率

3.87E+5 cm²V⁻¹s⁻¹

技术优势

带隙可大范围调

施加双轴应变可使带隙从0.464 eV连续调至0.001 eV，并能由间接带隙转为直接带隙，从而覆盖不同波长的光吸收需求。

光吸收优于单层

由于带隙减小，异质结的光吸收相比孤立的InSe和MoSe₂单层更强，更适合用作光吸收层。

空穴迁移率极高

双轴应变下空穴迁移率被增强至3.87×10⁵ cm²V⁻¹s⁻¹，远超常规二维半导体，利于高速器件。

应用场景

• 二维材料光电器件：利用带隙可调和强吸收做宽谱光电器件。
• 薄膜太阳能电池：作为吸收层提升光吸收和载流子迁移率。
• 可调谐光探测器：通过应变连续调节探测波长。
• 高性能场效应晶体管：超高迁移率可提升开关速度和驱动电流。