Ti₂Cd增强银基触点

降镉四成,抗烧蚀

以Ti₂Cd替代部分CdO作为银基强化相,镉含量较传统Ag/CdO降低38.31%,同时保持银基触点的抗电弧侵蚀与长寿命特性。

Wanjie, Sun · Yuxin, Shi · Jianxiang, Ding · 任万滨 · Zhixiong, Pan · 张培根 · Sun ZhengMing

Cailiao Daobao/Materials Review 2024

参数信息

镉含量降低幅度
38.31 %
密度
97.77 %
电阻率
2.34 μΩ·cm
硬度
90.8 HV
抗拉强度
189.9 MPa
平均接触电阻
13.20 mΩ
平均焊接力
0.6 N

技术优势

Cd 含量降近四成

用 Ti₂Cd 取代部分 CdO 作为强化相,复合材料中镉含量较传统 Ag/CdO 降低 38.31%。

抗电弧侵蚀

Ti₂Cd 强化相的高稳定性、与 Ag 基体的良好界面结合以及电弧侵蚀初期熔池粘度的提高,使得 40,000 次电弧放电后接触电阻低且稳定。

焊接力低且稳定

平均焊接力仅为 0.6 N,可减少触点粘连风险。

应用场景