抑制串扰误触发
与单芯片方案不同，该模块针对并联SiC MOSFET的桥臂结构，通过源极集成感容元件抑制失衡导致的串扰振荡，方法无需有源钳位即可提升开关可靠性。
Zhao, Cheng · Wang, Laili · Junhui, Yang · Wu, Shijie · 张淮清
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2024
首次阐明并联SiC MOSFET中串扰电压的差模振荡分量来源于功率网络失配导致的不平衡源极电压，为针对性抑制提供依据。
通过集成无源元件即可抑制并联特有的串扰振荡，避免了有源米勒钳位的复杂控制与潜在失效风险。