三端GaN纳米突触

栅压增强1000%

一种由介电泳辅助装配实现的可控低成本三端突触器件，利用栅压调节光电机制模拟学习-遗忘-再学习行为。

刘秩仰 · 黄兴 · Zhao, Yukun · 边历峰

Small 2026

参数信息

突触后电流增强

>1000 %

识别准确率

>95 %

技术优势

纳米线精确放置

通过介电泳辅助装配策略，单根纳米线能被可控放置，解决了三端器件中纳米线对准难题。

栅压增强超1000%

得益于优异的电学门控能力，器件的突触后电流可提升超过1000%，展现强栅控可塑性。

低制备成本

介电泳辅助装配方法成本低，使器件成为下一代神经形态系统经济高效的构建模块。

门控加速记忆巩固

负栅压能显著加速记忆强化，为调控学习-遗忘-再学习行为提供有效手段。

应用场景

• 神经形态计算：作为突触单元构建神经网络，栅压调控突触可塑性实现多种学习行为模拟。
• 类脑芯片：低成本三端纳米突触可作为类脑芯片的基本组件，支持认知功能模拟。
• 边缘计算：栅压调制可加速记忆巩固，适合边缘设备中的低功耗在线学习需求。
• 光电传感器：栅压调控的光电机制实现光脉冲驱动的突触响应，可用于光电传感与计算融合。