单层WSe₂晶体管

亚10 nm高电流密度

通过倾斜沟道设计,在室温下实现创纪录的饱和电流和准弹道输运。

Xie, Zhengdao · 李国立 · 夏圣轩 · 刘昌 · Zhang, Sen · Zeng, Zhouxiaosong Xiao Song · 刘兴强 · Flandre, M. Denis · Fan, Zhiyong · 廖蕾 · 邹旭明

Nano Letters 2023

具体参数

室温下饱和电流
1.3 mA/μm
饱和速度
4.2 × 10⁶ cm/s
沟道长度
6 nm