750°C抗蠕变
利用位错滑移和超点阵堆垛层错主导变形,并结合元素偏析诱导的局部相变,抑制晶界氧化开裂。
Pan, Xingyu · 贾崇林 · 邱春雷
Materials and Design 2025
元素在超点阵层错处偏析并可能诱发局部相变,有效阻碍位错滑移,提高蠕变抗力。
位错滑移和超点阵堆叠层错是主要变形机制,不同溶质原子偏析到不同类型层错,为合金设计提供依据。
表面和近表面氧化导致晶界脆化并引发沿晶开裂,内部则通过沿晶界微孔和微裂纹形成蠕变损伤。