高频高输出电流
采用300°C ALD生长的Al2O3作为栅介质与钝化层，在氢终端单晶金刚石上实现亚微米栅长器件，高频性能在同类高温介质器件中领先。
任泽阳 · Yuanchen, Ma · Yang, Shiqi · Xinxin, Yu · 张金风 · 苏凯 · Jincheng, Zhang · Wang, Hanxue · Yue, Hao
Results in Physics 2023
截止频率41.3 GHz、最大振荡频率80.6 GHz，是高温（>200 °C）介质H-金刚石MOSFET中的最高值，可用于毫米波功率放大。
在VGS=−3 V时输出电流密度达942 mA/mm，配合6.2 Ω·mm的低导通电阻，适合大电流开关与功率放大。
使用300 °C ALD Al2O3作栅介质与钝化层，能很好地保持氢终端金刚石表面，并实现高性能器件，扩大了工艺窗口。