宽禁带高介电常数
同时具备8 eV以上宽禁带和63的介电常数，打破介电常数与带隙的此消彼长，适用于二维电子器件的栅极介质。
Xu, Yongshan · 刘开朗 · 彭广 · 刘腾 · Sun, Li · Xiong, Xiong · Wu, Yan Qing · Sun, Huacong · 白雪冬 · Yongcheng, Zhu · Xiao, Zewen · 李会巧 · 翟天佑
Nature Communications 2026
带隙超过8 eV，能有效抑制栅极漏电，保证器件低功耗运行。
体介电常数高达63，可提供更强的栅控能力，有利于晶体管等比例缩小。
2D MoS₂晶体管的亚阈值摆幅为60 mV dec⁻¹，达到室温理论极限，开关特性优异。
预计在6.6 V下可稳定工作10年，满足实际应用对可靠性的需求。