Pt-Ni-C-N4双原子催化剂

蚀刻能垒降~1 eV

在4H-SiC非极性面上将HF蚀刻活化能大幅降低，使室温蚀刻成为可能，且经济性优于纯Pt。

Zhou, Zaifa

Langmuir 2026

参数信息

解离活化能

2.51 eV

解离活化能

2.86 eV

催化剂使能垒降低

约1 eV

技术优势

蚀刻可在室温下进行