CuO/Au底接触电极

低接触电阻

通过在N2和真空环境下制备，避免了界面暴露于大气，获得了比顶接触结构更洁净的CuO/Au界面，接触电阻更低且呈欧姆接触特性。

Zeng, Xi · Zhukova, Maria · Faniel, Sébastien · 李国立 · Flandre, D.

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

具体参数

测量的宽度归一化接触电阻

-2.6 kΩ·cm

真空下测量得到

-1.8 kΩ·cm

测量的有效接触电阻率可

-0.55 Ω·cm²

技术优势

真空下获得创纪录的低有效接触电阻率-0.05 Ω·cm²