硫掺杂In₂O₃纳米立方

光暗电流比169倍

通过硫掺杂形成梯度电场,并与检测释放的铜离子键合,实现信号原位放大,灵敏度远超常规光电阳极。

Li, Bin · Lin, Jia · Cheng, Cheng · Zhang, Haowen · 郭园园 · Cai, Fan · Xu, Houxi · Wei, Qin · 卞尧尧 · 周桂生 · 陈静 · Ge, Lilin · Yao, Lin

Biosensors and Bioelectronics 2025

参数信息

光暗电流开关比
169 times
工作范围
0.05 ng mL⁻¹
检测限
13.5 pg mL⁻¹

技术优势

光暗电流比骤升

硫掺杂降低带隙并建立梯度电场促进电荷分离,显著提高光电流,光暗电流开关比达169倍,有利于提高检测信噪比。

信号再次放大

S位点与检测探针释放的Cu²⁺形成稳定的Cu-S键,引发光电流突然跃升,实现原位二次放大,从而显著提升灵敏度。

检出限低至皮克

在优化条件下,该PEC免疫传感系统对CEA的检测限低至13.5 pg mL⁻¹,工作范围横跨三个数量级(0.05–100 ng mL⁻¹),适用于超灵敏分析。

应用场景